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J-GLOBAL ID：200902162399147214   整理番号：96A0347456

ほう素イオン注入エッジ終端を持つ高電圧4H-SiC Schottky整流器の優れた逆阻止特性

Excellent Reverse Blocking Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers with Boron-Implanted Edge Termination.

著者 (3件)： ITOH A (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 139-141  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky接触の周辺に高抵抗性層を使用することにより標...

シソーラス用語： 整流器 ,...

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分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ほう素イオン ,  注入 ,  エッジ ,  終端 ,  高電圧 ,  4H-SiC ,  整流器 ,  阻止