化学酸化物(Si-O-H)及び熱酸化物(SiO<sub>2</sub>またはSi-O-N)下層上の原子層堆積HfO<sub>2</sub>ゲート絶縁層の核形成と成長

GREEN M L; HO M-Y; BUSCH B; CONARD T; BRIJS B; RAEISAENEN P I; MULLER D; BUDE M; GRAZUL J

文献

J-GLOBAL ID：200902162754790956 整理番号：03A0046523

化学酸化物(Si-O-H)及び熱酸化物(SiO₂またはSi-O-N)下層上の原子層堆積HfO₂ゲート絶縁層の核形成と成長

Nucleation and growth of atomic layer deposited HfO₂ gate dielectric layers on chemical oxide (Si-O-H) and thermal oxide (SiO₂ or Si-O-N) underlayers.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0046523&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0046523&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 92 号： 12 ページ： 7168-7174 発行年： 2002年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子層堆積HfO₂膜の核形成と成長にS...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0046523&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

酸化物薄膜

, , , , , , , , , , ,

前のページに戻る

化学酸化物(Si-O-H)及び熱酸化物(SiO2またはSi-O-N)下層上の原子層堆積HfO2ゲート絶縁層の核形成と成長

化学酸化物(Si-O-H)及び熱酸化物(SiO₂またはSi-O-N)下層上の原子層堆積HfO₂ゲート絶縁層の核形成と成長