文献
J-GLOBAL ID:200902162851624190 整理番号:94A0437238
特集 半導体分野における接合技術 薄膜デバイス層張り合わせによるICの三次元化
Technical Information. Special Issue. Three Dimensional IC Technology, using CUBIC Method.
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著者 (1件):
国尾武光
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(
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)
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資料名:
溶接学会誌 (Journal of the Japan Welding Society)
溶接学会誌 について
JST資料番号 G0090A ですべてを検索
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巻:
63
号:
3
ページ:
185-189
発行年:
1994年04月
JST資料番号:
G0090A
ISSN:
0021-4787
CODEN:
YOGAA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
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抄録/ポイント
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厚さ数μmまで薄膜化されたデバイスを順次張り合わせて積層して...
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般
(NC03030V)
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引用文献 (10件):
1) T. Sugibayashi, et al.: A 30 ns 256 Mb DRAM with a Multidivided Array Structure, IEEE J. of Solid-state Circuit, 28-11 81983), 1092-1098.
2) M. Ono, et al.: Sub-50 nm Gate Length NMOSFETs with 10 nm Phosphorus Source and Drain Junctions. IEEE Technical Digest of IEDM (1993), 119-122.
3) M.Fukuma: Limitations on MOS ULSIs, Technical Digest of 1988 Symposium on VLSI Technlogy, 7-8.
4) T. Nishimura et al.: Three Dimensional IC for High Performance Image Signal Processr, Technical Digest of IDEM (1987), 111-114.
5) L. Yamazaki et al.: 4-layer 3 D IC Technlogies for Parrllel Signal Processing, Technical Digest of IDEM (1990), 599-602.
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