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J-GLOBAL ID：200902163010976462   整理番号：02A0016694

Tl+イオンをドープしたハロゲン化セシウムの吸収帯の起源

Origin of the Absorption Bands of Cesium Halides Doped with Tl+ Ions.
著者 (3件)：
KAWAI T

KAWAI T について

(Osaka Women’s Univ., Osaka, JPN)

Osaka Women’s Univ., Osaka, JPN について

, 
ICHIMURA N

ICHIMURA N について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

, 
HASHIMOTO S

HASHIMOTO S について

(Osaka Women’s Univ., Osaka, JPN)

Osaka Women’s Univ., Osaka, JPN について


資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)

Physica Status Solidi. B. Basic Research について


巻： 227  号： 2  ページ： 587-594  発行年： 2001年10月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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CsX:Tl+(X=Cl,Br,I)と...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*セシウム化合物

セシウム化合物 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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無機化合物の可視・紫外スペクトル 
(BM08084P)

無機化合物の可視・紫外スペクトル について

,  その他の無機化合物の格子欠陥 
(BK12050B)

その他の無機化合物の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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イオン

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, 
ドープ

ドープ について

, 
ハロゲン化

ハロゲン化 について

, 
セシウム

セシウム について

, 
吸収帯

吸収帯 について

, 
起源

起源 について


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