Si(111)-7×7表面ステップの特性構造の走査型トンネル顕微鏡観察

MIYAKE K; OKAWA S; TAKEUCHI O; FUTABA D N; HATA K; MORITA R; YAMASHITA M; SHIGEKAWA H

文献

J-GLOBAL ID：200902163033728113 整理番号：01A0793067

Si(111)-7×7表面ステップの特性構造の走査型トンネル顕微鏡観察

Characteristic structures of the Si(111)-7×7 surface step studied by scanning tunneling microscopy.

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資料名：
巻： 19 号： 4,Pt.1 ページ： 1549-1552 発行年： 2001年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si(111)のすべてのダウンステップ端7×7境界は完全であ...

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半導体の表面構造 , 半導体の格子欠陥

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