イオン促進型のSi/XeF<sub>2</sub>エッチング 100~1000K範囲の温度依存性

VUGTS M J M; HERMANS L J F; BEIJERINCK H C W

文献

J-GLOBAL ID：200902163172797901 整理番号：96A0876383

イオン促進型のSi/XeF₂エッチング 100~1000K範囲の温度依存性

Ion-assisted Si/XeF₂ etching: Temperature dependence in the range 100-1000K.

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巻： 14 号： 5 ページ： 2820-2826 発行年： 1996年09月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

マルチビーム装置を用いてArイオン照射下でのSi/XeF<s...

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プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

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イオン促進型のSi/XeF2エッチング 100~1000K範囲の温度依存性

イオン促進型のSi/XeF₂エッチング 100~1000K範囲の温度依存性