GaAs表面上のInGaAsの均一でコヒーレントな島からの量子サイズドットの直接形成

LEONARD D; KRISHNAMURTHY M; REAVES C M; DENBAARS S P; PETROFF P M

文献

J-GLOBAL ID：200902163219538845 整理番号：94A0089297

GaAs表面上のInGaAsの均一でコヒーレントな島からの量子サイズドットの直接形成

Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=94A0089297&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0089297&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 63 号： 23 ページ： 3203-3205 発行年： 1993年12月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs上に歪の大きいInGaAsを成長させ,2Dから3D成...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0089297&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

, , , , , ,

前のページに戻る