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J-GLOBAL ID：200902163307254156   整理番号：01A0690688

固体ソースMBEにより成長させた高品質エピタキシャル層と低次元ヘテロポリタイプSiC構造

High-quality SiC epitaxial layers and low-dimensional heteropolytypic SiC structures grown by solid-source MBE.
著者 (1件)：
FISSEL A

FISSEL A について

(Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU)

Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 227/228  ページ： 805-810  発行年： 2001年07月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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固体ソースMBEにより,1300Kと1600Kの温度範囲で,...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MBE成長

MBE成長 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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SSMBE

SSMBE について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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ソース

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成長

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エピタキシャル層

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低次元

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SiC

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