InGaN量子井戸構造の内部電界効果の井戸幅依存性

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J-GLOBAL ID：200902163576754831 整理番号：02A0440599

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巻： 49th 号： 1 ページ： 393 発行年： 2002年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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