研究者
J-GLOBAL ID：200901093187699424
更新日: 2020年08月28日
大前 邦途
オオマエ クニミチ | Omae Kunimichi
所属機関・部署：
旧所属 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)電気工学専攻
旧所属 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)電気工学専攻 について
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職名：
日本学術振興会特別研究員
研究分野 (1件)：
電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (2件)：
GaN系半導体における光物性の研究
Study on Optical Property in GaN-based Semiconductors
MISC (46件)：
Growth of a large GaN single crystal using the liquid phase epitaxy (LPE) technique. Japanese Journal of Applied Physics. 2003. Vol.42, No.1A/B, pp.L4-L6
F Kawamura, T Iwahashi, K Omae, M Morishita, M Yoshimura, Y Mori, T Sasaki. Growth of a large GaN single crystal using the liquid phase epitaxy (LPE) technique. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 1A-B. L4-L6
Effects of internal electric field on transient absorption in InGaN thin layers and quantum wells with different thickness by pump and probe spectroscopy. Phys. Rev. B. 2003. 68 pp.85303
InGaN量子井戸構造の内部電界効果の井戸幅依存性. 第49回春季応用物理学会学術講演会. 2002
Effects of exciton localization and internal electric fields in InGaN-based quantum structures revealed by pump and probe spectroscopy. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2002
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学歴 (4件)：
- 1999 京都大学 工学研究科 電子物性工学
- 1999 京都大学
- 1997 京都大学 工学部 電気工学科
- 1997 京都大学
学位 (1件)：
博士(工学) (京都大学)
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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