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J-GLOBAL ID：200902163651777052   整理番号：01A0484943

サブ0.1μm MOS素子における非定常電子/正孔輸送 移動度との相関および低電力CMOS応用

Nonstationary Electron/Hole Transport in Sub-0.1μm MOS Devices: Correlation with Mobility and Low-Power CMOS Application.

著者 (2件)： OHBA R (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIZUNO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 2  ページ： 338-343  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ0.1μmMOSFETのソース端近くの高横方向電界キャリ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： サブ ,  MOS素子 ,  非定常 ,  電子 ,  正孔輸送 ,  移動度 ,  相関 ,  低電力 ,  CMOS ,  応用