6H-SiC結晶の物理的気体輸送成長の間におけるほう素およびバナジウムの組込み

文献

J-GLOBAL ID：200902163703548901 整理番号：01A0914457

Incorporation of boron and vanadium during PVT growth of 6H-SiC crystals.

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資料名：
巻： 233 号： 1/2 ページ： 211-218 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標題の現象を,1.4′′の6H-SiCについて調べた。その結果...

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半導体の結晶成長

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