文献

J-GLOBAL ID：200902163727056651   整理番号：02A0401252

ナノ多孔質体と選択的めっき技術を組み合わせた新しい高密度配線技術

New High-Density Wiring Technique Using Nanoporous Substrates and Photoinduced Selective Plating.

著者 (3件)： 平岡俊郎 (東芝 研開セ) ,  堀田康之 (東芝 研開セ) ,  真竹茂 (東芝 研開セ)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 57  号： 4  ページ： 31-34  発行年： 2002年04月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 携帯情報機器の小型・軽量化,高機能化を実現する新しい高密度配...

シソーラス用語： ナノメータ加工 ,...
準シソーラス用語： ナノ多孔質体

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ多孔質体 ,  めっき技術 ,  高密度