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J-GLOBAL ID：200902163732647102   整理番号：00A0767973

プラズマ増強化学蒸着によって成長させたSi_0.17Ge_0.83チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの高い正孔移動度

High hole mobility in Si_0.17Ge_0.83 channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

著者 (6件)： HOECK G (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  KOHN E (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  ROSENBLAD C (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  VON KAENEL H (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  HERZOG H-J (Daimler Chrysler, Ulm, DEU) ,  KOENIG U (Daimler Chrysler, Ulm, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 26  ページ： 3920-3922  発行年： 2000年06月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔移動度が高いチャネル層を得るために,低エネルギープラズマ...

シソーラス用語： プラズマCVD ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  成長 ,  チャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  正孔移動度