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J-GLOBAL ID：200902163922711699   整理番号：00A0014499

ホール内のラジカル付着を考慮したSiO₂のエッチングメカニズムの検討

Investigation on the mechanism of SiO₂ etching taking into account radical sticking in a hole.

著者 (7件)： IZAWA M (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  YOKOGAWA K (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  YAMAMOTO S (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  NEGISHI N (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  MOMONOI Y (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  TSUJIMOTO K (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  TACHI S (Hitachi Ltd., Tokyo)
資料名： Proceedings of Symposium on Dry Process  (Proceedings of Symposium on Dry Process)
巻： 21st  ページ： 291-296  発行年： 1999年11月11日 
JST資料番号： Y0378A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ULSI製造工程に使用するプラズマエッチングにおいて,SAC...

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,...
準シソーラス用語： エッチングメカニズム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホール ,  ラジカル ,  SiO2 ,  エッチング ,  メカニズム