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J-GLOBAL ID：200902163942440454   整理番号：95A0035733

軸はずし電子ホログラフィーを用いたSi/Si p-n接合の電場分布の直接観察

Direct observation of potential distribution across Si/Si p-n junctions using off-axis electron holography.

著者 (6件)： MCCARTNEY M R (Arizona State Univ., Arizona) ,  SMITH D J (Arizona State Univ., Arizona) ,  HULL R (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  BEAN J C (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  VOELKL E (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  FROST B (Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 65  号： 20  ページ： 2603-2605  発行年： 1994年11月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2×10¹⁸/cm<sup>3</su...

シソーラス用語： PN接合 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ホログラフィー ,  Si ,  p-n接合 ,  電場分布