文献

J-GLOBAL ID：200902163967725631   整理番号：93A0423356

Large area epitaxial method for high brightness 655 nm AlGaAs double heterostructure red LEDs.

著者 (6件)： SHEA J S (Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN) ,  YOU B T (Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN) ,  KAO J Y (Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN) ,  DENG J R (Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Y S (Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN T P (Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 128  号： 1/4 Pt 1  ページ： 533-537  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： AlGaAs