有機金属化学蒸着で成長させたエピタキシャルGaN/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の欠陥構造

WU X H; BROWN L M; KAPOLNEK D; KELLER S; KELLER B; DENBAARS S P; SPECK J S

文献

J-GLOBAL ID：200902163992531698 整理番号：96A0895716

有機金属化学蒸着で成長させたエピタキシャルGaN/Al₂O₃の欠陥構造

Defect structure of metal-organic chemical vapor deposition-grown epitaxial (0001) GaN/Al₂O₃.

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資料名：
巻： 80 号： 6 ページ： 3228-3237 発行年： 1996年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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有機金属化学蒸着で成長させたエピタキシャルGaN/Al2O3の欠陥構造

有機金属化学蒸着で成長させたエピタキシャルGaN/Al₂O₃の欠陥構造