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J-GLOBAL ID：200902164005844295   整理番号：93A0400842

傾斜ベースSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ電流における電流利得の転落

Current Gain Rolloff in Graded-Base SiGe Heterojunction Bipolar Transistors.

著者 (6件)： CRABBE E F (IBM Research Division, NY) ,  CRESSLER J D (IBM Research Division, NY) ,  PATTON G L (IBM Research Division, NY) ,  STORK J M C (IBM Research Division, NY) ,  COMFORT J H (IBM Research Division, NY) ,  SUN J Y-C (IBM Research Division, NY)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 14  号： 4  ページ： 193-195  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のSiGeHBTのコレクタ電流の大きな領域でコレクタ電流...

シソーラス用語： HBT【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  コレクタ電流 ,  電流利得 ,  転落