分子ビームエピタクシーで成長させたInAs/(Al,Ga)Sb量子井戸のモルホロジーと輸送特性に及ぼすバッファ層の影響

BLANK H-R; THOMAS M; WONG K C; KROEMER H

文献

J-GLOBAL ID：200902164023752691 整理番号：96A0898769

分子ビームエピタクシーで成長させたInAs/(Al,Ga)Sb量子井戸のモルホロジーと輸送特性に及ぼすバッファ層の影響

Influence of the buffer layers on the morphology and the transport properties in InAs/(Al,Ga)Sb quantum wells grown by molecular beam epitaxy.

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巻： 69 号： 14 ページ： 2080-2082 発行年： 1996年09月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs基板上に変調ドープした標記量子井戸を成長させる場合に...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 固体デバイス製造技術一般

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