GaN単結晶を用いた金属-半導体型電界効果トランジスタ

KHAN M A; KUZNIA J N; BHATTARAI A R; OLSON D T

文献

J-GLOBAL ID：200902164050999518 整理番号：93A0421123

GaN単結晶を用いた金属-半導体型電界効果トランジスタ

Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN.

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巻： 62 号： 15 ページ： 1786-1787 発行年： 1993年04月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サファイア基板に低圧MOCVD法で成長したGaNエピタキシャ...

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半導体-金属接触 , トランジスタ

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