文献

J-GLOBAL ID：200902164079338774   整理番号：02A0685929

光照射走査型トンネル顕微鏡を用いた表面InAsナノ構造に関する光吸収評価

Photoabsorption Characterization on Surface InAs Nanostructures Using Light-Illuminated Scanning Tunneling Microscopy.

著者 (3件)： TAKADA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI M (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN) ,  TAKAHASHI T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 7B  ページ： 4990-4993  発行年： 2002年07月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs微斜面上に成長させた表面InAsナノ構造を走査型トン...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...
準シソーラス用語： 微分コンダクタンス

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0685929&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (10件)：

• 1) M. Takeuchi, K. Shiba, K. Sato, H. K. Huang, K. Inoue and H. Nakashima: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4411.
• 2) S. Torii, K. Bando, B. Shim, K. Maehashi and H. Nakashima: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 4673.
• 3) G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel: Phys. Rev. Lett. 49 (1982) 57.
• 4) L. Q. Qian and B. W. Wessels: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 2538.
• 5) T. Takahashi and M. Yoshita: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3479.

タイトルに関連する用語 (6件)： 光照射 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  InAs ,  ナノ構造 ,  光吸収 ,  評価