研究者
J-GLOBAL ID：200901082215167954   更新日: 2022年09月20日

武内 道一

タケウチ ミサイチ | Takeuchi Misaichi
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  光工学、光量子科学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件)： III族窒化物半導体デバイス ,  III族窒化物半導体結晶成長 ,  Optical and electrical devices of III-Nitride semiconductors ,  Crystal growth of III-Nitride semiconductors
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • AlN-AlGaN系窒化物半導体による高耐圧電子デバイスの開発
  • AlGaN系深紫外発光素子開発
  • (2)III族窒化物半導体による高耐圧高出力次世代電子デバイスの開発
  • (1)III族窒化物半導体による深紫外光源の開発
  • Development of high-power electrical devices using III-Nitride semiconductors
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MISC (80件)：
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講演・口頭発表等 (9件)：
  • 高効率大面積AlGaN深紫外発光素子実現のためのMOCVD成長
    (日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会(資料、pp.21-28) 2007)
  • N-polar AlN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing AlN substrates
    (5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-5, Salvador, Brazil) 2007)
  • N-polar AlN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing AlN substrates
    (5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-5, Salvador, Brazil) 2007)
  • Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar AlN layers by modified flow-modulation MOCVD growth
    (4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-4, Shiga, Japan) 2006)
  • Polarity dependent of AlN {0001} decomposition in flowing H2
    (4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-4, Shiga, Japan) 2006)
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学歴 (6件)：
  • - 1996 大阪大学大学院 基礎工学研究科 物理系専攻
  • - 1996 大阪大学
  • - 1992 大阪大学大学院 基礎工学研究科 物理系専攻
  • - 1992 大阪大学
  • - 1990 大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科
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学位 (1件)：
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (1件)：
  • 立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構 立命館グローバル・イノベーション研究機構 准教授
受賞 (2件)：
  • 2000 - 第19回EMS賞
  • 2000 - 第9回応用物理学会講演奨励賞
所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  日本結晶成長学会
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