6H-SiC基板に同時成長したエピタキシャル3Cと6HのSiC pn接合ダイオードの熱容量分光

SADDOW S E; LANG M; DALIBOR T; PENSL G; NEUDECK P G

文献

J-GLOBAL ID：200902164089128565 整理番号：95A0722348

6H-SiC基板に同時成長したエピタキシャル3Cと6HのSiC pn接合ダイオードの熱容量分光

Thermal capacitance spectroscopy of epitaxial 3C and 6H-SiC pn junction diodes grown side by side on a 6H-SiC substrate.

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資料名：
巻： 66 号： 26 ページ： 3612-3614 発行年： 1995年06月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

化学蒸着(CVD)プロセスにより低傾斜角6H-SiC基板上に...

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半導体薄膜 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 不純物・欠陥の電子構造

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