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J-GLOBAL ID：200902164106696475   整理番号：95A0379990

Si非晶質薄膜のPd誘起横方向結晶化

Pd induced lateral crystallization of amorphous Si thin films.

著者 (3件)： LEE S-W (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JEON Y-C (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JOO S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 13  ページ： 1671-1673  発行年： 1995年03月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリング前の非晶質シリコン膜にPd層(約40Å)を選択的...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  非晶質薄膜 ,  PD ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化