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J-GLOBAL ID：200902164226902508   整理番号：99A0446983

Cl₂/N₂とCl₂/HBrの平面誘導結合プラズマによる単結晶Siトレンチエッチングにおけるエッチ誘起損傷

Etch-induced damage in single crystal Si trench etching by planar inductively coupled Cl₂/N₂ and Cl₂/HBr plasmas.

著者 (5件)： LEE Y J (Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR) ,  HWANG S W (Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR) ,  YEOM G Y (Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE J W (Korean Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  LEE J Y (Korean Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 341  号： 1/2  ページ： 168-171  発行年： 1999年03月12日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記プラズマでエッチしたSiトレンチの表面における物理的欠陥...

シソーラス用語： *格子欠陥 ,...

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分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： N2 ,  HBr ,  誘導結合プラズマ ,  単結晶Si ,  トレンチエッチング ,  エッチ ,  誘起 ,  損傷