(111)A面上に分子線エピタクシーで成長させたp型GaAs中のシリコンアクセプタの振動モード

ASHWIN M J; FAHY M R; NEWMAN R C

文献

J-GLOBAL ID：200902164295859355 整理番号：93A0421265

(111)A面上に分子線エピタクシーで成長させたp型GaAs中のシリコンアクセプタの振動モード

The vibrational modes of silicon acceptors in p-type GaAs grown by molecular beam epitaxy on a (111)A plane.

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巻： 73 号： 7 ページ： 3574-3576 発行年： 1993年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MBE成長のp型GaAs中のSi不純物はAs格子位置を占め,...

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結晶中の局在モード

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