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J-GLOBAL ID：200902164359539600   整理番号：02A0011774

高κ絶縁体を有する金属-酸化物-半導体系におけるSi反転層中の実効電子移動度 遠隔フォノン散乱の役割

Effective electron mobility in Si inversion layers in metal-oxide-semiconductor systems with a high-κ insulator: The role of remote phonon scattering.

著者 (3件)： FISCHETTI M V (IBM Res. Div., New York) ,  NEUMAYER D A (IBM Res. Div., New York) ,  CARTIER E A (IBM Res. Div., New York)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 90  号： 9  ページ： 4587-4608  発行年： 2001年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近高誘電率材料をMOS構造に使う試みがあるが,これはイオン...

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高 ,  絶縁体 ,  酸化物 ,  Si ,  反転層 ,  電子移動度 ,  フォノン散乱 ,  役割