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J-GLOBAL ID：200902164434388559   整理番号：97A0034656

高温プロセスに耐える低抵抗ポリ-メタルゲート電極

Low-Resistivity Poly-Metal Gate Electrode Durable for High-Temperature Processing.

著者 (9件)： AKASAKA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUEHIRO S (Toshiba Corp., Fukuoka, JPN) ,  NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKASUGI T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYANO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OYAMATSU H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MATSUOKA F (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAKUMU M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43  号： 11  ページ： 1864-1869  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい低抵抗ポリ-メタルゲート構造,W/WSiN/ポリSi,...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： プロセス ,  低抵抗 ,  メタル ,  ゲート電極