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J-GLOBAL ID：200902164500961966   整理番号：97A0586948

光近視野内の100nm以下フォトリソグラフィーに対するエラストメトリック位相マスクの利用

Using an elastomeric phase mask for sub-100nm photolithography in the optical near field.

著者 (4件)： ROGERS J A (Harvard Univ., Massachusetts) ,  PAUL K E (Harvard Univ., Massachusetts) ,  JACKMAN R J (Harvard Univ., Massachusetts) ,  WHITESIDES G M (Harvard Univ., Massachusetts)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 20  ページ： 2658-2660  発行年： 1997年05月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジスト層との共形接触に標記の位相マスクを用いると,マ...

シソーラス用語： 偏光子 ,...
準シソーラス用語： 近視野 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  偏光測定と偏光計  (BD07050K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 近視野 ,  フォトリソグラフィー ,  位相 ,  マスク