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J-GLOBAL ID：200902164743734380   整理番号：01A0219678

極めて低欠陥濃度の自立した水素化物気相エピタクシー成長GaNの特性

Characteristics of free-standing hydride-vapor-phase-epitaxy-grown GaN with very low defect concentration.

著者 (8件)： VISCONTI P (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  JONES K M (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  RESHCHIKOV M A (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  YUN F (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  CINGOLANI R (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  MORKOC H (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  PARK S S (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  LEE K Y (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 23  ページ： 3743-3745  発行年： 2000年12月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300μm厚の自立したGaNテンプレートの構造と光学特性を,...

シソーラス用語： 水素化物 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 欠陥 ,  自立 ,  水素化物気相エピタクシー ,  成長 ,  GaN