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J-GLOBAL ID：200902164896278643   整理番号：02A0941230

バルクAlNの結晶成長 6H-SiC基板上の自己シーディングおよびシーディング

Bulk AlN crystal growth: Self-seeding and seeding on 6H-SiC substrates.
著者 (7件)：
EDGAR J H

EDGAR J H について

(Kansas State Univ., KS, USA)

Kansas State Univ., KS, USA について

, 
LIU L

LIU L について

(Kansas State Univ., KS, USA)

Kansas State Univ., KS, USA について

, 
LIU B

LIU B について

(Kansas State Univ., KS, USA)

Kansas State Univ., KS, USA について

, 
ZHUANG D

ZHUANG D について

(Kansas State Univ., KS, USA)

Kansas State Univ., KS, USA について

, 
CHAUDHURI J

CHAUDHURI J について

(Wichita State Univ., KS, USA)

Wichita State Univ., KS, USA について

, 
KUBALL M

KUBALL M について

(Univ. Bristol, Bristol, GBR)

Univ. Bristol, Bristol, GBR について

, 
RAJASINGAM S

RAJASINGAM S について

(Univ. Bristol, Bristol, GBR)

Univ. Bristol, Bristol, GBR について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 246  号： 3/4  ページ： 187-193  発行年： 2002年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記基板上で自己シーディングおよびシーディングによって作製し...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化アルミニウム

窒化アルミニウム について

,...
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分類 (1件)：
分類
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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
バルク

バルク について

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AlN

AlN について

, 
結晶成長

結晶成長 について

, 
6H-SiC

6H-SiC について

, 
自己

自己 について

, 
シーディング

シーディング について


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