ヘテロエピタキシャル成長すずドープインジウム酸化物薄膜の電気的性質

TAGA N; ODAKA H; SHIGESATO Y; YASUI I; KAMEI M; HAYNES T E

文献

J-GLOBAL ID：200902165176916401 整理番号：96A0690932

ヘテロエピタキシャル成長すずドープインジウム酸化物薄膜の電気的性質

Electrical properties of heteroepitaxial grown tin-doped indium oxide films.

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資料名：
巻： 80 号： 2 ページ： 978-984 発行年： 1996年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電子ビーム蒸着またはdcマグネトロンスパッタ法を用いて光学研...

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酸化物薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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