金属-酸化膜-半導体の先端理論  定常状態非平衡条件

PASSLACK M; HONG M; SCHUBERT E F; ZYDZIK G J; MANNAERTS J P; HOBSON W S; HARRIS T D

文献

J-GLOBAL ID：200902165221637950 整理番号：97A0627310

金属-酸化膜-半導体の先端理論定常状態非平衡条件

Advancing metal-oxide-semiconductor theory: Steady-state nonequilibrium conditions.

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資料名：
巻： 81 号： 11 ページ： 7647-7661 発行年： 1997年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

定常状態での深い空乏化及び低レベル光キャリア生成の二つの非平...

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金属-絶縁体-半導体構造

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