カルボキシル化されたビス(1,10-フェナントロリン)銅(I)錯体によるバンドギャップの大きい半導体(薄膜およびセラミックス)のスペクトル増感

ALONSO-VANTE N; NIERENGARTEN J-F; SAUVAGE J-P

文献

J-GLOBAL ID：200902165302165786 整理番号：94A0578293

カルボキシル化されたビス(1,10-フェナントロリン)銅(I)錯体によるバンドギャップの大きい半導体(薄膜およびセラミックス)のスペクトル増感

Spectral Sensitization of Large-band-gap Semiconductors (Thin Films and Ceramics) by a Carboxylated Bis(1,10-Phenanthroline)copper(I) Complex.

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号： 11 ページ： 1649-1654 発行年： 1994年06月07日
JST資料番号： A0270A ISSN： 1472-7773 CODEN： JCDTBI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

パラ位置をNaO₂C基によって修飾した...

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太陽電池 , 第11族,第12族元素の錯体 , 光伝導,光起電力

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