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J-GLOBAL ID：200902165418961458   整理番号：99A0905431

昇華成長4H SiCエピタキシャル層におけるドメインミスオリエンテーション

Domain misorientation in sublimation grown 4H SiC epitaxial layers.

著者 (4件)： TUOMINEN M (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  YAKIMOVA R (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SYVAEJAERVI M (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B61/B62  ページ： 168-171  発行年： 1999年07月30日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 昇華 ,  成長 ,  SiC ,  エピタキシャル層 ,  ドメイン ,  ミスオリエンテーション