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J-GLOBAL ID：200902165430551346   整理番号：98A0562324

熱酸化SiO₂/SiC界面へのエピタキシャル層特性と製造条件の影響

Effect of Epilayer Characteristics and Processing Conditions on the Thermally Oxidized SiO₂/SiC Interface.

著者 (3件)： DAS M K (Purdue Univ., IN) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 27  号： 4  ページ： 353-357  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/SiC界面の性質に影響を与え...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 製造条件 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱酸化 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  エピタキシャル層 ,  製造条件