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J-GLOBAL ID：200902165501519660   整理番号：00A0144925

シンクロトロン放射アブレーションにより室温で作製した低電気抵抗で高透過率の酸化インジウムすず薄膜

Low-Resistivity Highly Transparent Indium-Tin-Oxide Thin Films Prepared at Room Temperature by Synchrotron Radiation Ablation.

著者 (9件)： AKAGI Y (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  HANAMOTO K (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  SUZUKI H (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  KATOH T (Sumitomo Heavy Ind. Ltd., Tanashi, JPN) ,  SASAKI M (Industrial Res. Center of Shiga Prefecture, Shiga) ,  IMAI S (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  TSUDAGAWA M (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  NAKAYAMA Y (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  MIKI H (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 12A  ページ： 6846-6850  発行年： 1999年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記薄膜をシンクロトロン放射アブレーションにより石英基板上に...

シソーラス用語： *酸化スズ ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (31件)：

• 1) J. L. Vossen: Phys. Thin Films 9 (1977) 1.
• 2) L. A. Ryabova, V. S. Salun and I. A. Serbinov: Thin Solid Films 92 (1982) 327.
• 3) I. A. Rauf: J. Appl. Phys. 79 (1996) 4057.
• 4) H. Hayama, K. Kobayashi, H. Miki and Y. Onishi: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 70 (1986) 689.
• 5) W. Hung, C. Salupo, L. F. Szabo, G. P. Ceasar and W. Javurek: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 118 (1988) 411.

タイトルに関連する用語 (8件)： シンクロトロン放射 ,  アブレーション ,  室温 ,  作製 ,  電気抵抗 ,  高透過率 ,  酸化インジウムすず ,  薄膜