ガス源分子ビームエピタクシーで成長させた室温の2.2μm InAs-InGaAs-InP高歪層量子井戸レーザ

WANG J-S; LIN H-H; SUNG L-W

文献

J-GLOBAL ID：200902165528645691 整理番号：98A0964026

ガス源分子ビームエピタクシーで成長させた室温の2.2μm InAs-InGaAs-InP高歪層量子井戸レーザ

Room-Temperature 2.2-μm InAs-InGaAs-InP Highly Strained Multiquantum-Well Lasers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy.

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巻： 34 号： 10 ページ： 1959-1962 発行年： 1998年10月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記レーザの製作と性能について報告した。このレーザを室温で動...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

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