0≦x≦0.25の任意の組成をもつSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>エピ層の分光偏光解析

CARLINE R T; PICKERING C; ROBBINS D J; LEONG W Y; PITT A D; CULLIS A G

文献

J-GLOBAL ID：200902165649501379 整理番号：94A0279732

0≦x≦0.25の任意の組成をもつSi_1-xGe_xエピ層の分光偏光解析

Spectroscopic ellipsometry of Si_1-xGe_x epilayers of arbitrary composition 0≦x≦0.255.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=94A0279732&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0279732&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 64 号： 9 ページ： 1114-1116 発行年： 1994年02月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

誘電関数スペクトルの二次微分をLorentz型で合わせ臨界点...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0279732&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

光物性一般 , 半導体結晶の電子構造

, ,

前のページに戻る

0≦x≦0.25の任意の組成をもつSi1-xGexエピ層の分光偏光解析

0≦x≦0.25の任意の組成をもつSi_1-xGe_xエピ層の分光偏光解析