サブμmの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける単一電子の界面捕獲に対するCoulombエネルギーの評価

MUELLER H H; WOERLE D; SCHULZ M

文献

J-GLOBAL ID：200902165743517319 整理番号：94A0353062

サブμmの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける単一電子の界面捕獲に対するCoulombエネルギーの評価

Evaluation of the Coulomb energy for single-electron interface trapping in sub-μm metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

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巻： 75 号： 6 ページ： 2970-2979 発行年： 1994年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

単一電子が界面捕獲中心へ移動するためのCoulombエネルギ...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

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