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J-GLOBAL ID：200902165825444557   整理番号：93A0781497

Another step in developing a single wafer integrated process: Rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of local diffused W (Zn) contacts.

著者 (8件)： KATZ A (AT & T Bell Lab., New Jersey) ,  FEINGOLD A (AT & T Bell Lab., New Jersey) ,  EL-ROY A (AT & T Bell Lab., New Jersey) ,  MORIYA N (AT & T Bell Lab., New Jersey) ,  KOVALCHICK J (AT & T Bell Lab., New Jersey) ,  ABERNATHY C R (AT & T Bell Lab., New Jersey) ,  GEVA M (AT & T Bell Lab., Pennsylvania) ,  LANE E (AT & T Bell Lab., Pennsylvania)
資料名： Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3  (Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)
ページ： 217-227  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930443  ISBN： 1-55899-177-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： STEP ,  RaPID ,  Zn