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J-GLOBAL ID：200902165832658570   整理番号：94A0592971

モノリシックn型6H-SiC圧電センサ素子の特性化

Characterization of Monolithic n-Type 6H-SiC Piezoresistive Sensing Elements.

著者 (3件)： SHOR J S (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA) ,  BEMIS L (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA) ,  KURTZ A D (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 41  号： 5  ページ： 661-665  発行年： 1994年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般に使用可能な6H-SiCを用いてモノリシック接合分離圧電...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  圧電 ,  センサ素子 ,  特性化