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J-GLOBAL ID：200902165988937208   整理番号：99A0263774

AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器

High Performance V-Band Flip-Chip Gunn Diode Oscillator Fabricated on AlN Substrate.

著者 (5件)： 中川敦 (新日本無線) ,  渡辺健一 (新日本無線) ,  出口忠義 (新日本無線) ,  小池誠二 (新日本無線) ,  木村親夫 (新日本無線)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 98  号： 518(ED98 197-212)  ページ： 91-97  発行年： 1999年01月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 平面回路上にガンダイオードを搭載した新型の発振器について報告...

シソーラス用語： フリップチップ法 ,...

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分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  実装 ,  高性能 ,  V帯 ,  フリップチップ ,  ガン発振器