低温成長させたGaAsにおける非常に短い光キャリア緩和時間の研究

MCLNTOSH K A; NICHOLS K B; VERGHESE S; BROWN E R

文献

J-GLOBAL ID：200902166429951361 整理番号：97A0216946

低温成長させたGaAsにおける非常に短い光キャリア緩和時間の研究

Investigation of ultrashort photocarrier relaxation times in low-temperature-grown GaAs.

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資料名：
巻： 70 号： 3 ページ： 354-356 発行年： 1997年01月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低温でMBE成長させたGaAs膜における光キャリア緩和時間(...

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光伝導,光起電力

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