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J-GLOBAL ID：200902166444804057   整理番号：97A0775374

単一電子素子の高密度集積に使う非対称トンネル障壁の優位性

Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High-Density Integration of Single Electron Devices.

著者 (4件)： MATSUMOTO Y (Toyo Univ., Saitama, JPN) ,  HANAJIRI T (Toyo Univ., Saitama, JPN) ,  TOYABE T (Toyo Univ., Saitama, JPN) ,  SUGANO T (Toyo Univ., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 6B  ページ： 4143-4146  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度集積用の非対称トンネル障壁がある単一電子素子の優位性を...

シソーラス用語： *トンネル接合 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (9件)：

• 1) K. Yano, T. Ishii, T. Hasimoto, T. Kobayashi, F. Murai and K. Seki: Ext. Abst. 1994 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1994) p. 325.
• 2) D. V. Averin and A. A. Odintsov: Phys. Lett. A 140 (1989) 251.
• 3) H. D. Jensen and J. M. Marinis: Phys. Rev. B 46 (1992) 13407
• 4) D. V. Averin, A. A. Odintsov and S. V. Vyshenshii: J. Appl. Phys. 73 (1993) 1297
• 5) A. Iwasa, A. Fukushima and A. Odintsov: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5871

タイトルに関連する用語 (6件)： 単一電子素子 ,  高密度 ,  集積 ,  非対称 ,  トンネル障壁 ,  優位性