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J-GLOBAL ID：200902166522351412   整理番号：93A0384970

共鳴トンネルリングホットエレクトロントランジスタに対する最高40Tまでの高磁場効果

High-magnetic-field effects on a resonant-tunneling hot-electron transistor measured up to 40T.

著者 (4件)： STRUTZ T (Univ. Tokyo, JPN) ,  TAKAMASU T (Univ. Tokyo, JPN) ,  MIURA N (Univ. Tokyo, JPN) ,  IMAMURA K (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 184  号： 1/4  ページ： 254-258  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAlAs/InGaAsヘテロ構造に基づいた共鳴トンネルリ...

シソーラス用語： ホットエレクトロン ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 共鳴 ,  磁場効果