An approach to develop and verify tractable chemical models for CVD of Si, C and SiC.

文献

J-GLOBAL ID：200902166585267845 整理番号：93A0830881

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資料名：
巻： 12th ページ： 103-109 発行年： 1993年
JST資料番号： E0761A 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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