文献

J-GLOBAL ID：200902166651130236   整理番号：93A0359704

New metal-organic precursors for growth of GaAs and Al_xGa_1-xAs by chemical beam epitaxy.

著者 (4件)： JONES A C (Epichem Ltd., Merseyside, GBR) ,  LANE P A (Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR) ,  MARTIN T (Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR) ,  WHITEHOUSE C R (Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 17  号： 1/3  ページ： 1-8  発行年： 1993年02月28日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： GaAs