Si金属-酸化膜-半導体デバイス特性のモンテカルロシミュレーションと実験結果との比較による衝突イオン化速度の逆模型

IMANAGA S; HANE K; HAYAFUJI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902166776870568 整理番号：93A0984471

Si金属-酸化膜-半導体デバイス特性のモンテカルロシミュレーションと実験結果との比較による衝突イオン化速度の逆模型

Inverse modeling of impact ionization rate through comparison of Monte Carlo simulation of Si metal-oxide-semiconductor device characteristics and experimental results.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0984471&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0984471&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 74 号： 9 ページ： 5859-5866 発行年： 1993年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOSデバイスのモンテカルロシミュレーションによって導き出さ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0984471&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

, , , , , ,

前のページに戻る